Physical Properties of (ZnSe)x(CdTe)1−x Multicomponent System Films Fabricated by CVD in Hydrogen Flow
S. A. AzmovS. V. Starodubtsev Physico-Technical Institute, Academy of Sciences of the Uzbekian SSR, TashkentT.M. RazykovS. V. Starodubtsev Physico-Technical Institute, Academy of Sciences of the Uzbekian SSR, TashkentV. I. VyalyS. V. Starodubtsev Physico-Technical Institute, Academy of Sciences of the Uzbekian SSR, TashkentB. Kh. KadyrovS. V. Starodubtsev Physico-Technical Institute, Academy of Sciences of the Uzbekian SSR, Tashkent
ABI
Abstract
The crystallophysical, electrophysical, and optical properties of (ZnSe)x(CdTe)1−x films in the whole range of composition 0 ≦ x ≧ 1 fabricated by CVD in hydrogen flow are discussed. It is assumed that the significantly nonlinear behaviour of the band gap with film composition is caused by the physical nature of the Te atom. Die kristallographischen, elektrophysikalischen und optischen Eigenschaften von (ZnSe)x · ·(CdTe)1−x-Schichten, die mit CVD im Wasserstoffstrom hergestellt werden, werden für den gesamten Zusammensetzungsbereich 0 ≦ x ≧ 1 diskutiert. Es wird angenommen, daß das signi-fikant nichtlineare Verhalten der Bandlücke mit der Schichtzusammensetzung durch die physi-kalische Natur des Te-Atoms verursacht wird.