Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов

Исследована стабильность обогащенного никелем поверхностного слоя кремния при термообработках. При термообработках ниже 900 o C обогащенный никелем слой сохраняется. Установлено, что легирование кремниевого фотоэлемента никелем приводит к улучшению эффективности независимо от глубины залегания p-n-перехода. Оптимальные условия диффузии никеля в кремний --- T=800-850 o C, t=30 min. Наблюдался рост тока короткого замыкания фотоэлементов, легированных никелем, во всей исследованной области спектра. Показано, что легирование никелем до формирования p-n-перехода фотоэлемента является более эффективным и технологичным. Улучшение параметров фотоэлемента при легировании никелем в основным связано с свойствами поверхностного слоя. Ключевые слова: кремний, фотоэлемент, легирование никелем, диффузия, термоотжиг, кластер, поверхностный слой.

Not yet translated