Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium

Mit der DLTS-Methode werden bei Rh- und Ir-dotierten Si-Kristallen zwei Störstellen mit den Energieniveaus E0 und E1, E2 nachgewiesen. Die Energieniveaus liegen für Rh (Ir) bei E0 = Ec − 0,13 (0,18) eV, E1 = Ec − 0,37 (0,24) eV und E2 = Ec − 0,58 (0,62) eV. Für Temperungen im Bereich T ≦ 200 °C kann bei Schottkykontakten zuerst die Reaktion (E1, E2) → E0(I) und anschließend die Reaktion E0 → (E1, E2) (II) beobachtet werden. Die Reaktionsraten zeigen mit wachsendem Abstand von der Oberfläche eine annähernd exponentielle Abnahme mit den Eindringtiefen von etwa 5 μm (I) und 15 μm (II) für T = 400°C. Die Reaktionsenergien liegen für Rh bei 0,9 (I) und 1,5 eV (II) und für Ir bei 0,85 (I) und 1,8 eV (II). For Rh- and Ir-doped Si-crystals two impurity centers with energy levels E0 and E1, E2 are observed by DLTS-techniques. The energy levels for Rh (Ir) lie at E0 = Ec − 0.13 (0.18) eV, E1 = Ec − 0.37 (0.24) eV and E2 = Ec − 0.58 (0.62) eV. For annealed (T ≧ 200°C) crystals with Schottky-contacts at first the reaction (E1, E2) → E0 (I) and later the reaction E0 → (E1, E2) (II) is observed. The reaction rates show a nearly exponential decrease with increasing distance from the surface with a penetrating depth of 5 μm (I) and 15 μm (II) at T = 400°C. The reaction energies lie for Rh at 0.9 (I) and 1.5 eV (II) and for Ir at 0.85 (I) and 1.8 eV (II).

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