Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Backscattering measurements of postimplantation damage profiles in silicon single crystals

1. Channeling and related effects in the motion of charged particles through crystals

   D. S. Gemmell

   Статья1974Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605082

2. A model for the formation of amorphous Si by ion bombardment

   F. F. Morehead, B. L. Crowder

   Статья1970Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.578785

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659393

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659394

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659395

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659396

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659397

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659398

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659399

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659400