Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 18

Работа: Temperature-dependent conversion electron Mössbauer measurements of57Fe implanted in silicon and germanium

  1. Theory of Diffusion and Equilibrium Position of Interstitial Impurities in the Diamond Lattice

    K. Weiser

    Статья1962Цитирований: 3
    ABI
  2. Mössbauer Study of 57Co Implanted in Diamond

    F. de S. Barros, David Hafemeister, P. J. Viccaro

    Статья1970Цитирований: 3
    ABI
  3. Precipitation of cobalt in silicon studied by Mössbauer spectroscopy

    W. Bergholz, W. Schröter

    Статья1978Цитирований: 2
    ABI
  4. Short range order in disordered alloys

    Vikas Srivastava, Deepak Kumar, S. K. Joshi

    Статья1977Цитирований: 2
    ABI
  5. Entropy of ionization and temperature variation of ionization levels of defects in semiconductors

    J. A. Van Vechten, C. D. Thurmond

    Статья1976Цитирований: 2
    ABI
  6. The electronic structure of impurities and other point defects in semiconductors

    Sokrates T. Pantelides

    Статья1978Цитирований: 2
    ABI
  7. Unusual electronic properties of FeSi

    G. K. Wertheim, V. Jaccarino, J. H. Wernick +3

    Статья1965Цитирований: 2
    ABI
  8. Conversion electron Mössbauer spectroscopy at low temperatures

    J. Sawicki, Barbara Sawicka, Jan Staněk

    Статья1976Цитирований: 2
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI