Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 14

Работа: Kinetics and growth mechanism of gallium arsenide crystals in gas-phase epitaxy

1. GaAs growth by vapour phase transport

   R. Cadoret, L. Hollan, J.B. Loyau +2

   Статья1975Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.658994

2. Crystal growth : theory and techniques

   C. H. L. Goodman

   Книга1974Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.658993

3. Étude de l'anisotropie de la croissance épitaxiale de GaAs en phase vapeur

   L. Hollan, C. Schiller

   Статья1972Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.658995

4. Epitaxial GaAs Kinetic Studies: {001} Orientation

   Don W. Shaw

   Статья1970Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.658997

5. Influence of the Growth Parameters in GaAs Vapor Phase Epitaxy

   L. Hollan, J.M. Durand, R. Cadoret

   Статья1977Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.658998

6. A theoretical treatment of GaAs growth by vapour phase transport for {001} orientation

   R. Cadoret, M. Cadoret

   Статья1975Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659000

7. Influence of Substrate Temperature on GaAs Epitaxial Deposition Rates

   Don W. Shaw

   Статья1968Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659004

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659006

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.658996

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.658999

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659001

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659002

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659003

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659005