Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Investigation of anisotropic effects in vapor epitaxy of indium arsenide. I. Anistropy of growth rate and surface microrelief

1. GaAs growth by vapour phase transport

   R. Cadoret, L. Hollan, J.B. Loyau +2

   Статья1975Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.658994

2. Étude de l'anisotropie de la croissance épitaxiale de GaAs en phase vapeur

   L. Hollan, C. Schiller

   Статья1972Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.658995

3. Influence of Substrate Temperature on GaAs Epitaxial Deposition Rates

   Don W. Shaw

   Статья1968Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659004

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659006

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666642