Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: High-temperature diode formed by epitaxial GaP layers

1. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.495416

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.495417

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.495418

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.495419

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.495420