Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 9

Работа: Apparatus for growing GaN films on large-area substrates by the method of chloride-hydride vapor-phase epitaxy

1. High-Brightness InGaN Blue, Green and Yellow Light-Emitting Diodes with Quantum Well Structures

   Shuji Nakamura, Masayuki Senoh, Naruhito Iwasa +1

   Статья1995Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.604284

2. High-power InGaN/GaN double-heterostructure violet light emitting diodes

   Shuji Nakamura, Masayuki Senoh, Takashi Mukai

   Статья1993Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.497518

3. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies

   H. Morkoç̌, S. Strite, Guangjun Gao +3

   Статья1994Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.668922

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.668923

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.668924

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.668925

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.668926

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.668927

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.668928