Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 28

Работа: New Tight-Binding Method for Simulation of Defect Configurations, Creation and Diffusion Mechanisms in Solids: Application to Silicon

1. Molecular-dynamics study of defect formation in<i>a</i>-Si:H

   Young K. Park, Charles W. Myles

   Статья1995Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.670551

2. Ab initio pseudopotential calculations of point defects and boron impurity in silicon

   Jing Zhu, Lin Yang, C. Mailhiot +2

   Статья1995Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.670553

3. <i>Ab initio</i>calculations on metastable defects in a-Si:H: The Staebler-Wronski effect

   R. Jones, G M S Lister

   Статья1990Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.670554