Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 7

Работа: Effect of anodic etching of heavily doped silicon on the location of the plasma minimum

1. Determination of Optical Constants and Carrier Effective Mass of Semiconductors

   W. G. Spitzer, Heng Fan

   Статья1957Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.404966

2. Resistivity of Bulk Silicon and of Diffused Layers in Silicon

   J.C. Irvin

   Статья1962Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.518120

3. Chemically etched porous silicon as an anti-reflection coating for high efficiency solar cells

   L. Schirone, Giovanni Sotgiu, F. Califano

   Статья1997Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666799

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666798

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666800

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666801

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666802