Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Properties of precisely compensated semiconductors

1. Efficiency improvements of silicon solar cells by the impurity photovoltaic effect

   Mark Keevers, Martin A. Green

   Статья1994Цитирований: 22

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.362872

2. Deep impurities in semiconductors

   A. G. Milnes

   Книга1973Цитирований: 12

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.364962

3. Deep impurities in semiconductors

   J. Llacer

   Статья1974Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.364964

4. Behavior of diffused junction silicon solar cells in the temperature range 77–500 K

   J. D. Arora, P. C. Mathur

   Статья1981Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.256884

5. Character of the dependences of non-equilibrium electron and hole lifetimes on the concentration of recombination centres in impurity-type-recombination semiconductors

   Albina A. Drugova, V. A. Kholodnov

   Статья1995Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.396757

6. The Physics of Semiconductors

   E. Anastassakis, John D. Joannopoulos

   Препринт1990Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.396762

7. Assessment and parameterisation of Coulomb-enhanced Auger recombination coefficients in lowly injected crystalline silicon

   Pietro P. Altermatt, Jan Schmidt, Gernot Heiser +1

   Статья1997Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.396761

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.396758

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.396759

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.396760