Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 16

Работа: Effect of the band-tail states on the exciton peaks in GaN epilayers grown on sapphire substrates

  1. Без названия

    ДругоеЦитирований: 19
    ABI

  2. High-Brightness InGaN Blue, Green and Yellow Light-Emitting Diodes with Quantum Well Structures

    Shuji Nakamura, Masayuki Senoh, Naruhito Iwasa +1

    Статья1995Цитирований: 3
    ABI

  3. Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1−AlN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE

    Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Yasuo Koide +2

    Статья1989Цитирований: 2
    ABI

  4. GaN, AlN, and InN: A review

    S. Strite, H. Morkoç

    Обзорная статья1992Цитирований: 2
    ABI

  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI