Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Charge carrier recombination via isoelectronic traps involving excitons in compensated semiconductors

1. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons

   W. Shockley, W. T. Read

   Статья1952Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.357503

2. Recombination in Semiconductors

   Peter T. Landsberg

   Книга1992Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.364261

3. Recombination in semiconductors

   Landsberg, Peter T. 1922-2010

   Статья1977Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.364259

4. The electrical properties of polycrystalline silicon films

   John Y. W. Seto

   Статья1975Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.538159

5. Character of the dependences of non-equilibrium electron and hole lifetimes on the concentration of recombination centres in impurity-type-recombination semiconductors

   Albina A. Drugova, V. A. Kholodnov

   Статья1995Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.396757

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.670391