Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 4

Работа: Influence of the Post-Diffusion Hardening Rate and Thermal Treatment on the Thermal Stability of the Charge-Carrier Lifetime in Overcompensated n-Si<B, S>

1. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors

   D. V. Lang

   Статья1974Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.424573

2. Thermal emission and capture of electrons at sulfur centers in silicon

   Laurence Rosier, C. T. Sah

   Статья1971Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.626285

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.626286

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.626287