Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 2

Работа: Modification of the physical and chemical properties of GaAs/Ge surface epitaxy films by ion implantation

1. Ion Implantation in Semiconductors

   James W. Mayer, O. J. Marsh

   Глава1969Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.212581

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.667385