Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 2

Работа: Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface

1. Auger electron spectroscopy and electron energy loss spectroscopy studies of the formation of silicon nitride by implanting low energy nitrogen ions into silicon

   N. Lieske, Rudolf Hezel

   Статья1981Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.212584

2. Interaction of Neutral Atoms with a Solid Surface

   U.A. Arifov

   Глава1969Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.668206