Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Сервисы

← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 17

Работа: Characterization of deep defects in CdxHg1 xTe by injection-level spectroscopy of carrier lifetime

  1. Без названия

    ДругоеЦитирований: 4
    ABI

  2. Без названия

    ДругоеЦитирований: 3
    ABI

  3. Без названия

    ДругоеЦитирований: 3
    ABI

  4. Mechanisms for the anomalous dependence of carrier lifetime on injection level and photoconductance on light intensity

    Smagul Karazhanov

    Статья2001Цитирований: 3
    ABI

  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 3
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Methods for determining deep defect concentration from dependence of excess carrier density and lifetime on illumination intensity

    Smagul Karazhanov

    Статья2001Цитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI