Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Obtaining of epitaxial films of metal silicides by ion implantation and molecular beam epitaxy

1. Electronic structure and optical properties of CaF2 films under low energy Ba+ ion-implantation combined with annealing

   Б. Е. Умирзаков, T.S. Pugacheva, A.T. Tashatov +1

   СтатьяInorganic Fluorides and Related CompoundsNuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms2000Цитирований: 16

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.203259

2. Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures

   Leroy L. Chang, K. H. Ploog

   Книга1985Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.203256

3. Semiconductor Surfaces and Interfaces

   F. Bechstedt, R. Enderlein, R. Enderlein

   Книга1988Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.203261

4. Semiconductor Surfaces and Interfaces

   Winfried Mönch

   Книга1993Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.203257

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.203258

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.203260