Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 3

Работа: Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides

1. LPE growth of AlGaInAs epitaxial layers on GaAs(100)

   Prem Swarup, Rajeev Kumar Jain, Sudeep Verma +2

   Статья1983Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.660582

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.670882

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.670883