Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 3

Работа: Measurement of efficient thickness of transition layer, stimulated by microwave radiation, in contacts Mo-GaAs

1. Physics of Semiconductor Devices

   Geoffrey Pridham

   Статья1970Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390558

2. The Physics of Semiconductor Devices

   Книга2024Цитирований: 14

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.357508

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625471