Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Investigation of the electrophysical properties and structures of impurity-defective complexes in silicon doped with palladium

1. Introduction to Semiconductor Physics

   Richard B. Adler, April Smith, R. L. Longini +1

   Статья1965Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.529186

2. <i>Introduction to Semiconductor Physics</i>

   H. T. Grahn, Eric D. Jones

   Статья2000Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.529187

3. The energy levels of palladium in silicon

   Lingkon So, S. K. Ghandhi

   Статья1977Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439480

4. Properties of Au, Pt, Pd and Rh levels in silicon measured with a constant capacitance technique

   J.A. Pals

   Статья1974Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.614778

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.624350

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.624351