Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 49

Работа: Positron annihilation on defects in silicon irradiated with 15 MeV protons

  1. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1117
    ABI

  2. Impurities and point defects in semiconductors

    V. V. Emtsev, T.V. Mashovets

    Статья1981Цитирований: 7
    ABI

  3. Positron Annihilation in Semiconductors

    R. Krause‐Rehberg, Hartmut S. Leipner

    Книга1999Цитирований: 6
    ABI

  4. Defects in Irradiated Silicon: Electron Paramagnetic Resonance of the Divacancy

    G. D. Watkins, J. W. Corbett

    Статья1965Цитирований: 6
    ABI

  5. Condensed matter : new research

    Mrinmay Das

    Книга2007Цитирований: 5
    ABI

  6. Defects in Irradiated Silicon: Electron Paramagnetic Resonance and Electron-Nuclear Double Resonance of the Si-<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>E</mml:mi></mml:math>Center

    G. D. Watkins, J. W. Corbett

    Статья1964Цитирований: 5
    ABI

  7. Positron dynamics in solids

    Werner Brandt

    Статья1974Цитирований: 5
    ABI

  8. Positron studies of condensed matter

    R N West

    Статья1973Цитирований: 4
    ABI

  9. Modification of semiconductors with proton beams. A review

    В. В. Козловский, В. А. Козлов, V. N. Lomasov

    Обзорная статья2000Цитирований: 3
    ABI

  10. Atomic Environment of Positrons Annihilating in HT Cz-Si Crystal

    N.Yu. Arutyunov, V. V. Emtsev

    Статья2005Цитирований: 3
    ABI

  11. Positron Annihilation Rate and Broad Component of 1D-ACAR in Cz-Si and Fz-Si

    N.Yu. Arutyunov

    Статья1997Цитирований: 3
    ABI

  12. Atomic Environment of Positrons Annihilating in Different Parts of Cz-Si Single Crystal

    N.Yu. Arutyunov, R. Krause‐Rehberg

    Статья2003Цитирований: 3
    ABI

  13. Momentum distributions of electron-positron pairs annihilating at vacancy clusters in Si

    Mikko Hakala, M. J. Puska, R. M. Nieminen

    Статья1998Цитирований: 3
    ABI

  14. Identification of defect properties by positron annihilation in Te-doped GaAs after Cu in-diffusion

    Mohamed Elsayed, R. Krause‐Rehberg, W. Anwand +2

    Статья2011Цитирований: 3
    ABI

  15. Positron Trapping by Oxygen-Related Defects in Silicon and Anisotropy of 1D-ACAR Spectra

    N.Yu. Arutyunov

    Статья1999Цитирований: 2
    ABI

  16. Positron detrapping from defects: A thermodynamic approach

    M. Manninen, R. M. Nieminen

    Статья1981Цитирований: 2
    ABI

  17. Defects in Irradiated Silicon. II. Infrared Absorption of the Si-<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>A</mml:mi></mml:math>Center

    J. W. Corbett, G. D. Watkins, R. M. Chrenko +1

    Статья1961Цитирований: 2
    ABI

  18. Defects in Irradiated Silicon. I. Electron Spin Resonance of the Si-<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>A</mml:mi></mml:math>Center

    G. D. Watkins, J. W. Corbett

    Статья1961Цитирований: 2
    ABI

  19. Positron Sudies of Thermal-Induced Defects in Silicon

    N.Yu. Arutyunov, V.Yu. Traschakov

    Статья1989Цитирований: 2
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI