Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Simulation of Random Telegraph Noise in Nanometer nMOSFET Induced by Interface and Oxide Trapped Charge

1. Large random telegraph noise in sub-threshold operation of nano-scale nMOSFETs

   J. P. Campbell, Lihua Yu, Kin P. Cheung +4

   Статья2009Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.397912

2. Ultralow-Power Design in Near-Threshold Region

   Dejan Marković, C.C. Wang, Louis P. Alarcón +2

   Статья2010Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.570274

3. Random telegraph signal amplitudes in sub 100 nm (decanano) MOSFETs: a 3D 'Atomistic' simulation study

   Asen Asenov, R. Balasubramaniam, A. R. Brown +2

   Статья2002Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573066

4. RTS amplitudes in decananometer MOSFETs: 3-D simulation study

   Asen Asenov, R. Balasubramaniam, A. R. Brown +1

   Статья2003Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.664521

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.664517

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.664518

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.664519

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.664520

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.664522

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.664523