← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 59
Работа: Formation and annealing of vacancy-P complexes in proton-irradiated germanium
General Theory of Impurity Diffusion in Semiconductors via the Vacancy Mechanism
Статья1969Цитирований: 2ABIDefects in electron-irradiated Ge studied by positron lifetime spectroscopy
Статья1999Цитирований: 2ABIProperty of Radiation-Induced Defects in Germanium Single Crystals
Noboru Fukuoka, Makoto Honda, Yoko Nishioka +2
Статья1995Цитирований: 2ABISelf-diffusion in germanium isotope multilayers at low temperatures
Erwin Hüger, U. Tietze, D. Lott +4
Статья2008Цитирований: 2ABIIdentification of As-vacancy complexes in Zn-diffused GaAs
Mohamed Elsayed, R. Krause‐Rehberg, B. Korff +2
Статья2013Цитирований: 2ABIDiffusion and defect reactions between donors, C, and vacancies in Ge. I. Experimental results
S. Brotzmann, H. Bracht, J. Lundsgaard Hansen +5
Статья2008Цитирований: 2ABI