Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 3

Работа: The lateral capacitance of nanometer MNOSFET with a single charge trapped in oxide layer or at SiO2 - SI3N4

1. Trap creation in silicon dioxide produced by hot electrons

   D. J. DiMaria, J. Stasiak

   Статья1989Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.665093

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.694129

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.694130