Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 21

Работа: Characterization of the three-dimensional residual stress distribution in SiC bulk crystals by neutron diffraction

  1. Silicon Carbide as a Platform for Power Electronics

    C. R. Eddy, D. Kurt Gaskill

    Статья2009Цитирований: 2
    ABI

  2. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  3. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI