Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Recombination of Mobile Carriers Across Boron Excited Levels in Silicon at Low Temperatures

1. Magnetic-field-induced retardation of the recombination of nonequilibrium charge carriers in semiconductors

   B. B. Zelener, B. V. Zelener, É. A. Manykin

   Статья2012Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.641356

2. Concerning the New Mechanism of Carrier Recombination in Semiconductors

   E. M. Gershenzon, Yu. P. Ladyzhinskii, A. P. Melnikov

   Статья1971Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.641357

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.677205

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.677206

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.677207