Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs
А.С. ГазизулинаНациональный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, УзбекистанА.А. НасировНациональный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, УзбекистанА.А. НебесныйНациональный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, УзбекистанП.Б. ПарчинскийНациональный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, УзбекистанDojin KimChungnam National University, Taejon, Korea
ABI
Аннотация
Anisotropy of magnetotransport properties of GaMnAs epitaxial layers in ferromagnetic state has been investigated as a function of temperature. The anisotropy of negative magnetoresistance that is not related to uniaxial anisotropy and hard axis orientation has been observed. This anisotropy may be result of arising of spatially oriented structures in the GaMnAs layer during its growth.
Темы
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 0Использованных источников: 0
Показатели — AkademScholar · Скоро