← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 19
Работа: Anisotropy of Negative Magnetoresistance in GaMnAs Epitaxial Layers
Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductors
T. Dietl, Hideo Ohno, F. Matsukura +2
Статья2000Цитирований: 16ABIHole-mediated ferromagnetism in tetrahedrally coordinated semiconductors
T. Dietl, Hideo Ohno, F. Matsukura
Статья2001Цитирований: 6ABIMetal–insulator transition and magnetotransport in III–V compound diluted magnetic semiconductors
Y. Iye, A. Oiwa, Akira Endo +5
Статья1999Цитирований: 4ABI(GaMn)As: GaAs-based III–V diluted magnetic semiconductors grown by molecular beam epitaxy
Takashi Hayashi, Masaaki Tanaka, Tatau Nishinaga +3
Статья1997Цитирований: 3ABIMagnetic anisotropy investigations of (Ga,Mn)As with a large epitaxial strain
Piotr Juszyński, Marta Gryglas-Borysiewicz, Jacek Szczytko +4
Статья2015Цитирований: 3ABIUniaxial in-plane magnetic anisotropy of Ga1−xMnxAs
U. Welp, V. K. Vlasko‐Vlasov, Andreas Menzel +4
Статья2004Цитирований: 3ABIMagnetic Domain Structure and Magnetic Anisotropy in<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">G</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">a</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">M</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">n</mml:mi></mml:mrow><mml:mi>x</mml:mi></mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">A</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">s</mml:mi></mml:math>
U. Welp, V. K. Vlasko-Vlasov, X. Liu +2
Статья2003Цитирований: 2ABIRecent progress in voltage control of magnetism: Materials, mechanisms, and performance
Cheng Song, Bin Cui, Fan Li +2
Статья2017Цитирований: 2ABI