← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 72
Работа: First-principles calculations on the electronic structure and thermoelectric properties of quaternary Heusler compounds: LiScPtSi and LiScPdGe
Highly spin-polarized materials and devices for spintronics<sup>∗</sup>
Kōichirō Inomata, N. Ikeda, Nobuki Tezuka +4
Обзорная статья2008Цитирований: 2ABIHalf-Heusler compounds: novel materials for energy and spintronic applications
F. Casper, Tanja Graf, Stanislav Chadov +2
Статья2012Цитирований: 2ABIProperties of single crystalline semiconducting CoSb3
T. Caillat, A. Borshchevsky, J. P. Fleurial
Статья1996Цитирований: 2ABIUltralow Thermal Conductivity in Full Heusler Semiconductors
Jiangang He, Maximilian Amsler, Yi Xia +6
Статья2016Цитирований: 2ABIThermoelectric response of quaternary Heusler compound CrVNbZn
Hüsnü Kara, Mousumi Upadhyay Kahaly, K. Özdoğan
Статья2017Цитирований: 2ABI