Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Influence of the parameters to transition capacitance at NCDS-PSI heterostructure

1. Physics of Semiconductor Devices

   Simon M. Sze, Kwok K. Ng

   Книга2006Цитирований: 33

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.109944

2. Ultrasonic annealing of surface states in the heterojunction of a p-Si/n-CdS/n +-CdS injection photodiode

   Ш. А. Мирсагатов, I. B. Sapaev, Zh. T. Nazarov

   СтатьяThermography and Photoacoustic TechniquesInorganic Materials2014Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2014.article.000071

3. Current-voltage characteristic of the injection photodetector based on In–n-CdS–p-Si–In structure

   I. B. Sapaev

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics2019Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.238416

4. Introduction to Semiconductor Heterojunctions

   A. G. Milnes, D.L. Feucht

   Глава1972Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.263468

5. LED power reduction trade-offs for ambulatory pulse oximetry

   Eduardo Aguilar Pelaez, Esther Rodriguez Villegas

   Статья2007Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.263466

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.263467