← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 41
Работа: Extremely high frequency Schottky diodes based on single GaN nanowires
MESFETs Made From Individual GaN Nanowires
Paul T. Blanchard, Kris A. Bertness, Todd E. Harvey +3
Статья2008Цитирований: 2ABI