Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: A new method for growing epitaxial films on foreign substrates − Bent epitaxy

1. Flat GaN epitaxial layers grown on Si(111) by metalorganic vapor phase epitaxy using step-graded AlGaN intermediate layers

   Kai Cheng, Maarten Leys, Stefan Degroote +7

   Статья2006Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.714979

2. Reduction of Bowing in GaN-on-Sapphire and GaN-on-Silicon Substrates by Stress Implantation by Internally Focused Laser Processing

   Hideo Aida, Hidetoshi Takeda, Natsuko Aota +1

   Статья2011Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.714980

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.737434

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.737435

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.737436

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.737437

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.737438

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.737439

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.737440

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.737441

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.737442

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.737443