Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 33

Работа: <i>In-situ</i> sulfur anion doping for defect passivation and stability enhancement in ZnSnO thin-film transistors

  1. STM study of the geometric and electronic structure of ZnO()-Zn, ()-O, (), and () surfaces

    Olga Dulub, L. A. Boatner, Ulrike Diebold

    Статья2002Цитирований: 3
    ABI

  2. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  3. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI