Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 15

Работа: Influence of 2 MeV electron irradiation on the band gap of TlGaS2 and TlGaSe2 single crystals

1. Electronic irradiation of TlInSxSe2−x (x = 1): Morphology, structure and raman scattering

   M. Yu. Tashmetov, F. K. Khallokov, N.B. Ismatov +2

   СтатьяSolid-state spectroscopy and crystallographyInternational Journal of Modern Physics B2021Цитирований: 13

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2021.article.000345

2. Study of the influence of electronic radiation on the surface, structure and Raman spectrum of a TlInS2 single crystal

   M. Yu. Tashmetov, F. K. Khallokov, N.B. Ismatov +3

   СтатьяSolid-state spectroscopy and crystallographyPhysica B Condensed Matter2021Цитирований: 13

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.225789

3. Влияние электронного облучения на кристаллическую структуру, микрорельеф поверхности и зондированную ширину тройных кристаллов допированного железом таллия и моноселинида индия.

   И. Нуритдинов, М.Ю. Ташметов, У.О. Ходжаев +2

   Статья2024Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.260900

4. Deformation effects in electronic spectra of the layered semiconductors TlGaS₂, TlGaSe₂and TlInS₂

   K. R. Allakhverdiev, T. G. Mammadov, Rauf A. Suleymanov +1

   Статья2003Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.365363

5. Effect of Doping Concentration and Annealing Temperature on the Structural and Optical Properties of Zn1-xCuxO Films

   Jijoy. P. Mathew, George Varghese, Physics , KSCSTE , India +1

   Статья2014Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390238

6. Type of Optical Transitions at the Fundamental Absorption Edge in TlGaSe2 and TlInS2 Crystals Subjected to γ-Radiation

   R. M. Sardarly, F. T. Salmanov, N. A. Alieva

   Статья2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390243

7. Electronic properties and phase transitions in low-dimensional semiconductors

   A. M. Panich

   Статья2008Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.635504

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.807291

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.807292

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.807293

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.807294

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.807295

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.807296

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.807297

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.807298