Vacancy defects induce electronic orbital occupation state to enhance the performance of Ni-C-N supercapacitors
Haocheng PengQinglei GuYan YanChongyang TangJinxiong WuYaya WangTao DuRui‐Pin ChenXin LiuXiuling YanSeytkhan AzatBekchanov DavronbekNational University of UzbekistanXintai SuSouth China University of Technology
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Темы
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 0Использованных источников: 27