Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 29

Работа: Defect-engineered resistive switching and NDR behavior in Mn-doped SnO2 memristors

1. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.899396

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.899397

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.899398

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.899399