Bi2BVI3 va Sb2BVI3 (BVISe,Te) asosidagi qattiq eritmalarining termoelektrik samaradorligini oshirishda panjara nuqsonlari va μ/χₚ nisbati ahamiyati

Ushbu maqolada rivojlngan davlatlarda keng o'rganilayotgan past haroratli termoelektr materiallar Bi2BVI3 ва Sb2BVI3 (BVISe, Te) tizimlariga mansub qattiq eritmalar struktura xossalari chuqur tahlil qilinadi. Tadqiqotlar asosan 300-350 °C haroratlarda olingan namunalar uchun panjara konstantalarining o'zgarish qonuniyatlariga asoslangan. Maqolada eksperimental ma'lumotlar asosida kristall panjarada nuqsonlar hosil bo'lish mexanizmi va ularning electron hamda struktura xossalariga ta'siri, hususan, Te atomlari joylashgan pozitsiya bo'sh o'rinlar (vakansiyalar) hosil bo'lishi hamda Bi va Te atomlarining panjaradagi oraliq holatlarga o'tish ehtimoli ko'rib chiqiladi. Bunday nuqsonlar natijasida kvazistexiometrik tarkibli namunalar uchun teshiklar(pozitiv zaryad tashuvchilar) konsentratsiyasining sezilarli darajada ortishi kuzatiladi. Mazkur hodisa, asosan, Te(2) joylashuvlarida antistrukturaviy tipdagi nuqsonlarning shakllanishi bilan izohlanadi. Ya'ni, ortiqcha Bi atomlari Te(2) tugunlarida joylashib, ortiqcha Bi atomlari Te(2) panjaraning asl stexiometrik tartibini buzadi. Shuningdek, maqolada ushbu nuqsonlarning hosil bo'lishi thermoelktr xossalarga, xususan, elektr o'tkazuuvchanlik va Seebeck koeffitsientiga ta'siri haqida ilmiy mulohazalar keltiriladi. Natijalar shuni ko'rsatadiki, nuqsonlar konsentratsiyasi va ularning turi materialning elektrofizik parametrlarini boshqarishda muhimligi haqida fikr bildirilgan.

Перевод пока недоступен