Electronic Confinement and Coherence in Patterned Epitaxial Graphene
Claire BergerLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, FranceZhimin SongLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, FranceXuebin LiLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, FranceXiaosong WuLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, FranceNate BrownLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, FranceCécile NaudSols, Solides, Structures, RisquesDidier MayouLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, FranceTianbo LiLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, FranceJoanna HassLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, FranceAlexei MarchenkovLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, FranceEdward H. ConradLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, FrancePhillip N. FirstLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, FranceWalt A. de HeerLaboratoire d'Études des Propriétés Électroniques des Solides, CNRS, BP166, 38042 Grenoble Cedex 9, France
2006en
ABI
Аннотация
Ultrathin epitaxial graphite was grown on single-crystal silicon carbide by vacuum graphitization. The material can be patterned using standard nanolithography methods. The transport properties, which are closely related to those of carbon nanotubes, are dominated by the single epitaxial graphene layer at the silicon carbide interface and reveal the Dirac nature of the charge carriers. Patterned structures show quantum confinement of electrons and phase coherence lengths beyond 1 micrometer at 4 kelvin, with mobilities exceeding 2.5 square meters per volt-second. All-graphene electronically coherent devices and device architectures are envisaged.
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