Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 7

Работа: Methods for determining deep defect concentration from dependence of excess carrier density and lifetime on illumination intensity

1. Analysis of structure change of Si solar cells irradiated with high fluence electrons

   Mitsuru Imaizumi, Stephen Taylor, Masafumi Yamaguchi +3

   Статья1999Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390561

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1120682

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1120689

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.396856

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1120811

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1120812

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1120813