Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 21

Работа: The effect of electron beam on nanocrystallites size, strain and structural parameters of the silicon carbide nanopowder

  1. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures

    H. M. Rietveld

    Статья1969Цитирований: 23
    ABI

  2. Scherrer after sixty years: A survey and some new results in the determination of crystallite size

    J. I. Langford, A. J. C. Wilson

    Статья1978Цитирований: 9
    ABI

  3. Thermodynamics kinetics of boron carbide under gamma irradiation dose

    M.N. Mirzayev, E. Demir, Khagani Farzulla Mammadov +6

    Статья2019Цитирований: 9
    ABI

  4. Influence of gamma irradiation on the surface morphology, XRD and thermophysical properties of silicide hexoboride

    M.N. Mirzayev, R. N. Mehdiyeva, Ramin G. Garibov +2

    Статья2018Цитирований: 8
    ABI

  5. Calculation of the Thermal Parameters of Boron Silicide by Differential Scanning Calorimetry

    M.N. Mirzayev, R. N. Mehdiyeva, Khagani Farzulla Mammadov +2

    Статья2018Цитирований: 7
    ABI

  6. Modified Scherrer Equation to Estimate More Accurately Nano-Crystallite Size Using XRD

    Ahmad Monshi, Mohammad Reza Foroughi, Mohammad Reza Monshi

    Статья2012Цитирований: 5
    ABI

  7. Formation of Color Centers and Concentration of Defects in Boron Carbide Irradiated at Low Gamma Radiation Doses

    M.N. Mirzayev, R. N. Mehdiyeva, С. З. Меликова +5

    Статья2019Цитирований: 5
    ABI

  8. Size–strain line-broadening analysis of the ceria round-robin sample

    Davor Balzar, Nathalie Audebrand, Mark R. Daymond +10

    Статья2004Цитирований: 3
    ABI

  9. Properties of advanced semiconductor materials : GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe

    M. E. Levinshteĭn, Sergey Rumyantsev, M. S. Shur

    Книга2001Цитирований: 2
    ABI

  10. Silicon Carbide as a Platform for Power Electronics

    C. R. Eddy, D. Kurt Gaskill

    Статья2009Цитирований: 2
    ABI

  11. Energy dependence of electron damage and displacement threshold energy in 6H silicon carbide

    A.L. Barry, B. Lehmann, Daniel Fritsch +1

    Статья1991Цитирований: 2
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI