Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 20

Работа: Mechanism of current transport in Schottky barrier diodes based on coarse-grained CdTe films

  1. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1117
    ABI

  2. Physics of Semiconductor Devices

    J.-P. Colinge, Cindy Colinge

    Книга2002Цитирований: 58
    ABI

  3. Current Injection in Solids

    A. M. Stoneham

    Статья1970Цитирований: 27
    ABI

  4. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons

    W. Shockley, W. T. Read

    Статья1952Цитирований: 19
    ABI

  5. The physics of semiconductor devices

    H. L. Grubin

    Статья1979Цитирований: 18
    ABI

  6. Current injection in solids

    Murray A. Lampert, Peter Mark

    Книга1970Цитирований: 16
    ABI

  7. The Physics of Semiconductor Devices

    Книга2024Цитирований: 14
    ABI

  8. A p-i-n Model of CdTe/CdS Heterostructures

    J. Janabergenov, Ш. А. Мирсагатов, Smagul Karazhanov

    СтатьяQuantum Dots Synthesis And PropertiesInorganic Materials2005Цитирований: 11
    ABI

  9. Fundamentals of Solar Cells

    Книга1983Цитирований: 11
    ABI

  10. FUNDAMENTAL AND APPLIED PROBLEMS OF PHYSICS

    В. Г. Халтурин

    Статья2006Цитирований: 7
    ABI

  11. Semiconductors and Semimetals

    Глава1977Цитирований: 7
    ABI

  12. Physics and chemistry of II-VI compounds

    M. Aven, J. S. Prener

    Книга1967Цитирований: 5
    ABI

  13. Polycrystalline Semiconductors II

    Книга1991Цитирований: 5
    ABI

  14. M. Aven and J.S. Prener 編: Physics and Chemistry of II-VI Compounds, North-Holland Pub. Co., Amsterdam, 1967, 844頁, 16×23cm, 12,000円.

    繁雄 塩谷

    Статья1968Цитирований: 4
    ABI

  15. Analysis of CZT crystals and detectors grown in russia and the ukraine by high-pressure bridgman methods

    H. Hermon, M. Schieber, R. B. James +11

    Статья1999Цитирований: 3
    ABI

  16. The use of P-L-N structures in investigations of transient recombination from high injection levels in semiconductors

    L. W. Davies

    Статья1963Цитирований: 3
    ABI

  17. Recent progress in CdTe and CdZnTe detectors

    Tadayuki Takahashi, Shin Watanabe

    Статья2001Цитирований: 3
    ABI

  18. Photodetectors with a controllable photosensitivity spectrum

    Ш. А. Мирсагатов, B. U. Aĭtbaev, V. M. Rubinov

    Статья1996Цитирований: 3
    ABI

  19. Recent achievements of the high resolution Schottky CdTe diode for γ-ray detectors

    Takaai Tanaka, Yoshihito Kobayashi, Takefumi Mitani +5

    Статья2003Цитирований: 2
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI