Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Steady-State Simulation of Semiconductor Devices Using Discontinuous Galerkin Methods

1. Investigation of n-ZnO/p-Si and n-TiO₂/p-Si Heterojunction Solar Cells: TCAD + DFT

   Jasurbek Gulomov, Oussama Accouche, Rayimjon Aliev +2

   СтатьяZnO doping and propertiesIEEE Access2023Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.000539

2. Optimizing CZTSe Solar Cell Architecture: Comparative Study of ZnO, TiO₂, and MoO₃ as Electron Transport Layers

   Jasurbek Gulomov, Oussama Accouche, Jakhongir Ziyoitdinov +1

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsIEEE Access2024Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.001489