Unzipping and movement of Lomer-type edge dislocations in Ge/GeSi/Si(0 0 1) heterostructures
Yu. B. BolkhovityanovInstitute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, RussiaA. S. DeryabinInstitute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, RussiaА. К. ГутаковскийInstitute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, RussiaЛ. В. СоколовInstitute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia
2017en
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 2Использованных источников: 0