Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Electronic and Optical Properties of GaAlAs/GaAs Thin Films

1. Electronic structure of Ga1–x Al x As nanostructures grown on the GaAs surface by ion implantation

   S. B. Donaev, Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова

   СтатьяIon-surface interactions and analysisTechnical Physics2015Цитирований: 13

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.095299

2. Superstructured ordering in Al x Ga1 − x As and Ga x In1 − x P alloys

   П. В. Середин, �. P. Domashevskaya, I. N. Arsentyev +3

   Статья2013Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.367666

3. Secondary-Electron Emission

   R. E. Simon, B. F. Williams

   Статья1968Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.370153

4. Semiconductor lasers with internal wavelength selection

   V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiĭ +10

   Статья2013Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.367662

5. First-principle calculations of electronic and positronic properties of AlGaAs2

   S. Laref, S. Méçabih, B. Abbar +2

   Статья2007Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.367664

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.375464

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.375465

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.375466

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.375467

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.375468