Modified Raman confinement model for Si nanocrystals
G. FaraciDipartimento di Fisica e Astronomia, Universitá di Catania; MATIS-Istituto Nazionale di Fisica della Materia, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, ItalyS. GibiliscoDipartimento di Fisica e Astronomia, Universitá di Catania; MATIS-Istituto Nazionale di Fisica della Materia, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, ItalyPaola RussoDipartimento di Fisica e Astronomia, Universitá di Catania; MATIS-Istituto Nazionale di Fisica della Materia, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, ItalyA. PennisiDipartimento di Fisica e Astronomia, Universitá di Catania; MATIS-Istituto Nazionale di Fisica della Materia, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, ItalySalvatore La RosaDipartimento di Fisica e Astronomia, Universitá di Catania; MATIS-Istituto Nazionale di Fisica della Materia, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, Italy
2006en
ABI
Аннотация
A modified one-phonon confinement model is developed for the calculation of micro-Raman spectra in Si nanocrystals, permitting the simultaneous determination of the Raman frequency, intensity, and linewidth. Using a specific spatial correlation function and the Si phonon dispersion relations, the Raman spectra are calculated under the limitations imposed on the wave vector by the spatial confinement. Results are obtained as a function of the Si nanocrystal size in the range $1.2--100\phantom{\rule{0.3em}{0ex}}\mathrm{nm}$. The frequency shift and line broadening of the Raman spectra are compared with experimental results reported in the literature.
Перевод пока недоступен
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 4Использованных источников: 0