Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
Статья

Enhancement of optoelectronic properties of ZnO thin films by Al doping for photodetector applications

V. Doni PonK. S. Joseph WilsonK. Hari PrasadDepartment of Physics, Institute of Aeronautical Engineering, Dundigal, Hyderabad, 500043, IndiaV. GaneshAdvanced Functional Materials and Optoelectronic Laboratory (AFMOL), Department of Physics, College of Science, King Khalid University, Abha, 61413, Saudi ArabiaH. Elhosiny AliResearh Center for Advanced Materials Science (RCAMS), King Khalid University, Abha, 61413, P.O. Box 9004, Saudi ArabiaH. AlgarniResearh Center for Advanced Materials Science (RCAMS), King Khalid University, Abha, 61413, P.O. Box 9004, Saudi ArabiaI.S. YahiaResearh Center for Advanced Materials Science (RCAMS), King Khalid University, Abha, 61413, P.O. Box 9004, Saudi Arabia
2021en
ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Идентификаторы

Цитирования и источники

Цитирований: 4Использованных источников: 0