Low-resistance orthorhombic MoO3-x thin film derived by two-step annealing
Lei MengDepartment of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8552, JapanAkira YamadaDepartment of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8552, Japan
2018en
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 2Использованных источников: 0