Статья

Radiation-enhanced dislocation glide in 4H-SiC at low temperatures

E. E. YakimovInstitute of Microelectronics Technology RAS, Acad. Osipian str., 6, Chernogolovka, 142432, RussiaE. B. YakimovInstitute of Microelectronics Technology RAS, Acad. Osipian str., 6, Chernogolovka, 142432, RussiaE.B. YakimovInstitute of Microelectronics Technology RAS, Acad. Osipian str., 6, Chernogolovka, 142432, RussiaE.B. YakimovInstitute of Microelectronics Technology RAS, Acad. Osipian str., 6, Chernogolovka, 142432, Russia

2020en

ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Идентификаторы

DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.155470

Цитирования и источники

Цитирований: 2Использованных источников: 0

Показатели — AkademScholar